评测阅读教程(1)：教你看笔记本配置内存篇
【前言】欢迎您浏览IT世界网笔记本频道。您在阅读笔记本评测文章时，是不是会对一些专业词汇发愁？对电脑的配置是否真正地了解？对如何实地选购机器产生许多烦恼？不要着急。接下来笔记本评测组会为您排烦解忧。敬请关注“评测阅读教程”系列文章。
如今笔记本的软件容量是不断增大、版本也是在不断升级，在机器的性能就需要更强悍了。机器的性能是否强悍，在笔记本内存方面是有很大的影响的。 对于很多游戏玩家而言，他们一定都会对内存这个为CPU提供数据计算场所的PC重要部件的容量变化对游戏影响而深有体会。内存这个产品长久以来一直受制于处理器和主板芯片组技术的发展，它除了容量的不断提高以外，更重要的在于要让内存为处理器提供足够宽的数据交换通道，也就是需要不断的提高内存的传输带宽来满足处理器的发展需要。
目前主要的内存颗粒厂商有现代（Hynix）、三星（Samsung）、南亚（Nanya）、尔必达(ELPIDA) 、华邦（Winbond）、英飞凌（Infinoen）、美光（Micron）等等。而市面上许多品牌的内存条不外乎采用这几家厂商的内存颗粒加工而成。
1、工作原理
DRAM的内部是一个存储阵列，可以想象成一张表格，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column）后，系统就可以准确地找到内存阵列中的某个单元格的数据，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个存储阵列叫逻辑Bank（Logical Bank），一般内存都有4个或8个逻辑Bank。在内存的实际工作中，在某个逻辑Bank中查找与在逻辑bank的某行地址中查找的指令是同时发出的，这个命令称之为“行激活”（Row Active）。在此之后，将发送列地址寻址命令与读/写命令，这两个命令也是同时发出的，因此一般都会以“读/写命令”来表示列寻址。业界规定把从“行有效”到“读/写命令”发出之间的延迟时间定义为tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS的延迟，RAS就是行地址选通脉冲，CAS就是列地址选通脉冲）。列地址也被选中之后，就会准备开始数据传输，但数据从存储单元中输出到出现在内存芯片的I/O接口之间还有一段的时间，这段时间就是CL延迟（CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期）。CL的数值与tRCD一样，都是以时钟周期数表示的。如果接下来要读取的数据还是该bank同行中接着的数据，那么内存可以用一种叫做突发传输的方式工作，就是在选定行地址和列地址以后，如果是连续数据，那么可以不重新在该Bank中进行列选定，而直接传输当前行以后连续7列位置的数据（总共一次传输8列位置的数据）。而如果接下来的数据是同bank但是不同行位置的，那么就必须要先把当前行关闭，才能对其他行寻址。从开始关闭现有的工作行，到可以打开新的工作行之间的间隔就是tRP（Row Precharge command Period，行预充电有效周期），单位也是时钟周期数。上面的CL、tRCD、tRP这三个内存参数都是绝对性能参数，在任何时候任何平台下都应该是越小越好，调节的优先顺序是CL→tRCD→tRP。
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